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TESCAN AMBER X 氙氣等離子雙束掃描電鏡


 


 

 

 

 

 

 

 

 


等離子FIB和無(wú)漏磁超高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡的完美結(jié)合,無(wú)限擴(kuò)展在材料表征領(lǐng)域的應(yīng)用

TESCAN AMBER X 是完美結(jié)合了分析型等離子FIB和超高分辨(UHR)掃描電鏡的綜合分析平臺(tái),能夠同時(shí)提供高效率、大面積樣品刻蝕,多模態(tài)的樣品表征,以及在無(wú)鎵注入干擾狀態(tài)下進(jìn)行樣品制備和改性。 TESCAN AMBER X 具備快速精確的等離子體FIB刻蝕和無(wú)漏磁超高分辨SEM成像的特性,使其成為多項(xiàng)研究的理想方案,例如快速制備出寬度可達(dá)1 毫米的截面; 高通量、多模態(tài)的FIB-SEM斷層掃描,可快速獲得三維重建圖像和可視化數(shù)據(jù); 元素化學(xué)和/或晶體取向研究; 無(wú)注入離子干擾狀態(tài)下制備出微米和納米結(jié)構(gòu),以便通過(guò)其它分析方法進(jìn)行后續(xù)測(cè)試或表征等。

主要特性

iFIB+ 氙等離子FIB鏡筒?
最大離子束流可達(dá)1 μA, 可實(shí)現(xiàn)超高刻蝕速率
分辨率 : < 15 nm
超大視野:1 mm @ 30 keV
快速精確的壓電驅(qū)動(dòng)光闌變換器

BrightBeam? 超高分辨SEM鏡筒技術(shù)?
無(wú)漏磁超高分辨SEM鏡筒可以最大程度實(shí)現(xiàn)各類樣品的分析和表征
分辨率:1.5 nm @ 1kV
優(yōu)化的鏡筒內(nèi)探測(cè)器系統(tǒng),進(jìn)一步提高了探測(cè)能力
光闌優(yōu)化提升了分辨率,特別是在高束流下分辨率

新的 Essence? 電鏡軟件和用戶界面?
用戶界面友好
可定制化的布局

應(yīng)用

刻蝕和拋光大橫截面
在3.5小時(shí)內(nèi)完成寬度達(dá)1 mm橫截面的刻蝕, 然后使用TESCAN專有的搖擺樣品臺(tái),以較小的離子束流拋光橫截面,這樣可以抑制”幕簾效應(yīng)“(curtaining),同時(shí)還可以在刻蝕過(guò)程中原位監(jiān)控橫截面質(zhì)量。

FIB-SEM斷層掃描?
AMBER X 是多尺度、多模態(tài)微結(jié)構(gòu)表征的理想選擇。這款等離子FIB支持快速地刻蝕和拋光樣品。TESCAN用于靜態(tài)3D EBSD數(shù)據(jù)采集的技術(shù)和嵌入式FIB-SEM層析成像模塊,可以支持各種成像和分析探測(cè)器,增加了實(shí)用性,使斷層掃描技術(shù)可以快速、精確且便捷地應(yīng)用于各類材料的分析。

無(wú)鎵干擾狀態(tài)下的樣品制備?
傳統(tǒng)鎵離子 FIB加工時(shí)由于鎵離子污染或注入可能導(dǎo)致的微觀結(jié)構(gòu)和/或機(jī)械性能改變。氙是一種惰性元素,所以可以實(shí)現(xiàn)對(duì)鋁等材料進(jìn)行無(wú)污染的樣品制備和加工。